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IGBT双脉冲测试

详细说明更新时间:2021-01-06 17:16 浏览次数:36
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品牌:长禾实验室
品牌:长禾实验室
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所在地:陕西 西安市
有效期至:长期有效
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产品介绍
       功率器件要测哪些参数?IGBT要测那些参数?功率器件的静态参数测试/功率器件的动态参数测试,欢迎联系西安长禾半导体。

静态参数                                                     符号

Drain to Source Breakdown Voltage       BVDSS

Drain Leakage Current                             IDSS

Gate Leakage Current                              IGSS

Gate Threshold Voltage                          VGS(th)

Drain to Source On Resistance                RDS(on)

Drain to Source On Voltage                      VDS(on)

Body Diode Forward Voltage                      VSD

动态参数                                                     符号

Turn-on delay time                                  td(on)

Rise time                                                     tr

Turn-off delay time                                    td(off)

Fall time                                                       tf

Turn-on energy                                         Eon

Turn-off energy                                         Eoff

Diode reverse recovery time                       trr

Diode reverse recovery charge                 Qrr

Diode peak reverse recovery current       Irrm

Diode peak rate of fall of reverse

recovery current                                       dirr/dt

Reverse biased safe operating area        RBSOA

Short circuit safe operation area            SCSOA

 


IGBT双脉冲测试
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