标王 热搜: 气动球阀  山东  设计  常州  装修  铆接机  管材  警示灯  气动调节阀  不锈钢刀叉 
 

碳化硅MOS雪崩耐量,短路特性实验室

详细说明更新时间:2021-03-19 13:09 浏览次数:55
点击图片查看原图
单价:面议
起订:
供货总量:
发货期限:自买家付款之日起 3 天内发货
所在地:陕西 西安市
有效期至:长期有效
询价
产品介绍
 功率器件要测哪些参数?IGBT要测那些参数?功率器件的静态参数测试/功率器件的动态参数测试,欢迎联系西安长禾半导体,我们是做深圳IGBT测试、深圳SiC测试、深圳间歇寿命测试、深圳老炼测试、HTGB测试、HTRB测试、HT3GB测试、深圳热阻测试、RTH测试、静态/动态参数测试、深圳DPA测试、失效分析

随着技术发展,第三代半导体功率器件开始由实验室阶段步入商业应用,未来应用潜力巨大。通常这些新型器件测试要求更高的电压和功率水平,更快的开关时间。西安长禾半导体积极布局第三代半导体功率器件的测试业务,引进国际先进的测试技术,为功率半导体产业上下游企业提供器件参数检测服务,助力器件国产化、高新化发展。

测试标准:

覆盖MIL-STD-750,IEC 60747系列,GB/T29332等标准;服务内容包括:静态参数,动态参数,热特性,雪崩耐量,短路特性及绝缘耐压测试;设备支持0-1500A,0-3000V的器件参数检测。

产品范围:

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半导体器件等分立器件,以及上述元件构成的功率模块

测试项目:

静态参数 符号

Drain to Source Breakdown Voltage       BVDSS

Drain Leakage Current                             IDSS

Gate Leakage Current                              IGSS

Gate Threshold Voltage                          VGS(th)

Drain to Source On Resistance                RDS(on)

Drain to Source On Voltage                      VDS(on)

Body Diode Forward Voltage                      VSD

Internal Gate Resistance                                Rg

Input capacitance                                       Cies

Output capacitance                                  Coes

Reverse transfer capacitance                    Cres

Transconductance                                   gfs

Gate to Source Plateau Voltage          Vgs(pl)

动态参数 符号

Turn-on delay time                                  td(on)

Rise time                                                     tr

Turn-off delay time                                    td(off)

Fall time                                                       tf

Turn-on energy                                         Eon

Turn-off energy                                         Eoff

Diode reverse recovery time                       trr

Diode reverse recovery charge                 Qrr

Diode peak reverse recovery current       Irrm

Diode peak rate of fall of reverse

recovery current                                       dirr/dt

Total gate charge                                       QG

Gate-Emitter charge                                QGC

Gate-Collector charge                             QGE

其他参数 符号

thermal resistance                                    Rth

Unclamped Inductive Switching              UIS

Reverse biased safe operating area        RBSOA

Short circuit safe operation area            SCSOA


碳化硅MOS雪崩耐量,短路特性实验室
网址:http://www.keqiw.cn/huagongyibiao/132656.html
特别提示:本站信息由用户自行发布,真实性未经证实,仅供参考,客齐网不承担任何责任。
[ 供应搜索 ] [ 加入收藏 ] [ 告诉好友 ] [ 打印本文 ] [ 违规举报 ] [ 关闭窗口 ]

0条 [查看全部]  相关评论

 
公司基本资料信息
该企业最新供应更多..
最新供应立即发布>>
最新资讯
 
网站首页 | 关于我们 | 联系方式 | 使用协议 | 版权隐私 | 网站地图 | 排名推广 | 广告服务 | 积分换礼 | RSS订阅 | 苏ICP备0605306号