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长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有先进的测试仪器设备100余台套，专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供优质高效的技术服务。
长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。
长禾实验室秉承创新务实的经营理念，为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。
诚信立世，感恩回馈，欢迎选择长禾实验室做您忠诚的合作伙伴，共谋发展大计！
可靠性测试室
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检测项目 |
覆盖产品 |
检测能力 |
参考标准 |
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功率循环试验（PC） |
IGBT模块 |
ΔTj=100℃ 电压电流最大1800A 12V |
IEC 客户自定义 |
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高温反偏试验（HTRB） |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件 |
温度最高150℃； 电压最高2000V |
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 |
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高温门极试验（HTGB） |
MOSFET、SiC MOS等单管器件 |
温度最高150℃； 电压最高2000V |
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 |
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高温工作寿命试验（HTOL） |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 |
温度最高150℃ 电压最高2000V |
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 |
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低温工作寿命试验（LTOL） |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 |
温度最低-80℃ 电压最高2000V |
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 |
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高温储存试验（HTSL） |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 |
温度最高150℃； |
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 |
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低温储存试验（LTSL） |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 |
温度最低-80℃ |
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 |
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高温高湿试验（THB） |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 |
温度最高180℃ 湿度范围：10%~98% |
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 |
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高低温循环试验（TC） |
MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 |
温度范围：-80℃~220℃ |
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 |
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间歇寿命试验（IOL）功率循环试验（PC） |
MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 |
ΔTj≧100℃ 电压电流最大48V，10A |
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 |
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稳态功率试验（SSOL） |
MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 |
ΔTj≧100℃ 电压电流最大48V，10A |
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 |
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高加速应力试验（HAST） |
MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 |
温度130℃/110℃ 湿度85% |
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 |
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*无偏压的高加速应力试验（UHAST） |
MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 |
温度130℃ 湿度85% |
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 |
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高温蒸煮试验（PCT） |
MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 |
温度121℃ 湿度100% |
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 |
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预处理试验（Pre-con） |
所有SMD类型器件 |
设备满足各个等级的试验要求 |
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 |
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潮气敏感度等级试验（MSL） |
所有SMD类型器件 |
设备满足各个等级的试验要求 |
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 |
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*可焊性试验（Solderability） |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 |
有铅、无铅均可进行 |
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 |
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检测项目 |
覆盖产品 |
检测能力 |
参考标准 |
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直流参数 |
MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品； |
检测最大电压：7500V 检测最大电流：6000A |
国标，IEC |
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雪崩能量 |
MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件 |
检测最大电压：2500V 检测最大电流：200A |
美军标 |
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栅极电阻 |
MOSFET、IGBT及第三代半导体器件 |
检测阻抗：0.1Ω～50Ω |
JEDEC |
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开关时间 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件； |
检测最大电压：1200V 检测最大电流：200A |
美军标，国标，IEC等 |
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开关时间 |
IGBT等模块产品 |
检测最大电压：2700V 检测最大电流：4000A |
国标，IEC |
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反向恢复 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 |
检测最大电压：1200V 检测最大电流：200A |
美军标，国标，IEC等 |
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反向恢复 |
IGBT等模块产品 |
检测最大电压：2700V 检测最大电流：4000A |
国标，IEC |
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栅极电荷 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 |
检测最大电压：1200V 检测最大电流：200A |
美军标，国标，IEC等 |
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栅极电荷 |
IGBT等模块产品 |
检测最大电压：2700V 检测最大电流：4000A |
国标，IEC |
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短路耐量能力 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 |
检测最大电压：1200V 检测最大电流：1000A |
美军标，国标，IEC等 |
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短路耐量能力 |
IGBT等模块产品 |
检测最大电压：2700V 检测最大电流：10000A |
国标，IEC |
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结电容 |
MOSFET、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 |
检测最大电压：3000V |
IEC |
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参数曲线扫描 |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线 |
检测最大电压：3000V 检测最大电流：1500A 温度：-70°C~180°C |
美军标，IEC等 |
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热阻性能 |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管产品 |
最大功率：250W |
美军标，JEDEC |
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热阻性能 |
IGBT等模块产品 |
最大功率：4000W |
美军标，JEDEC |
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ESD能力 |
MOSFET、IGBT、IC等产品 |
HBM最大电压：8000V；MM最大电压：800V |
美军标，ANSI，JEDEC等 |
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*正向浪涌能力 |
DIODE（Si/SiC）、整流桥 |
检测最大电流：800A |
美军标，国标 |
半导体IGBT元器件电参数测试分析实验室
网址：http://www.keqiw.cn/bandaotifenliqijian/128887.html
