真空室尺寸:中央传输室：Φ1000×280mm；沉积室：260×260×280mm。

　　进样室：300×300×300mm。

　　极限真空度:中央传输室：6.67E-4Pa；沉积室：6.67E-6Pa；进样室：6.67Pa。

　　沉积源:样品尺寸。

　　原子层沉积ALD的温度:114X114X3mm，加热温度350度，机械手传递样品。

　　占地面积（长x宽x高）:约13米x9米x2.3米（设计待定）。

　　电控描述:全自动。

　　工艺:在80x80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%。

　　特色参数:共有8路工作气体。

　　原子层沉积ALD产品概述：系统主要由3个真空沉积室（分别沉积P、I、N结）、1个进样室、1个中央传输室、平板式电极、基片加热台、工作气路、传送机械手、抽气系统、安装机台、射频电源、甚高频电源、尾气处理装置、真空测量及电控系统等部分组成。

　　设备用途：团簇型等离子体化学气相沉积设备（PECVD），采用等离子体增强化学气相沉积技术，在光学玻璃、硅片、石英、不锈钢片等不同衬底材料上，沉积氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧化硅等薄膜，可以制备非晶硅、微晶硅薄膜太阳能电池器件。

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