价格:￥188.00/台
品牌:长禾实验室
品牌:长禾实验室
产地:陕西西安
测试器件:IGBT
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西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是国家CNAS 认可实验室，属于国家大功率器件测试服务中心。

长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有先进的测试仪器设备100余台套，专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供优质高效的技术服务。

长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。

长禾实验室秉承创新务实的经营理念，为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。

5	绝缘栅双极型晶体管	1	集射间反向击穿电压	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1	只测： -3.5kV～3.5kV
				半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407	只测： -3.5kV～3.5kV
		2	通态电压	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3405.1	只测： 0～1500A
		3	通态电阻	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1	只测： 0～10kΩ
		4	集电极反向漏电流	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1	只测： 0～100mA
		5	栅极漏电流	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1	只测： 0～100mA
		6	跨导	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2	只测： 1ms～1000s
		7	开关时间&损耗	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3477.1	只测： VD：5V～3.3kV， ID：0.5A～1500A
				半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.11,6.3.12	只测： 5V～3.3kV
		8	短路耐受时间	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3479	只测： ISC：10A～5000A ， TSC：1us～50us
				半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.2.6	只测： 5V～3.3kV
		9	栅极电荷	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3	只测： Qg：0.5nC～100uC
				半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.9	只测： 5V～3.3kV
		10	二极管反向恢复时间	半导体器件 分立器件 第2部分：整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.6	只测： 5V～3.3kV
		11	单脉冲雪崩能量	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2	只测： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A
		12	栅极串联等效电阻	功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002)	只测： 0.1Ω～50Ω
		13	稳态热阻	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3103	只测： Ph：0.1W～250W
		16	输入电容	半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.6	只测： -3kV～3kV,0～1MHz
		17	输出电容	半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.7	只测： -3kV～3kV,0～1MHz
		18	反向传输电容	半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.8	只测： -3kV～3kV,0～1MHz
		19	最大反偏安全工作区	半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.2.5	只测： 5V～3.3kV