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功率器件测试_半导体测试-长禾半导体实验室

详细说明更新时间:2021-05-07 11:08 浏览次数:41
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品牌:长禾实验室
品牌:长禾实验室
产地:陕西西安
测试器件:IGBT
单价:1.00元/台
起订:1 台
供货总量:10000 台
发货期限:自买家付款之日起 3 天内发货
所在地:陕西 西安市
有效期至:长期有效
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产品介绍
       西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区,是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业,是国家CNAS 认可实验室,属于国家大功率器件测试服务中心。

长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有的测试仪器设备100余台套,专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准,以客户需求为导向,不断创新服务项目和检测技术,借助便利的服务网络,为合作伙伴提供优质高效的技术服务。

长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体(宽禁带半导体)应用解决方案服务商。

长禾实验室秉承创新务实的经营理念,为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持;同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流,测试技术与服务水平不断提升。

诚信立世,感恩回馈,欢迎选择长禾实验室做您忠诚的合作伙伴,共谋发展大计!

检测项目

覆盖产品

检测能力

参考标准

功率循环试验(PC)

IGBT模块

ΔTj=100℃ 电压电流最大1800A 12V

IEC 客户自定义

高温反偏试验(HTRB)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件

温度最高150℃; 电压最高2000V

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

高温门极试验(HTGB)

MOSFET、SiC MOS等单管器件

温度最高150℃; 电压最高2000V

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

高温工作寿命试验(HTOL)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件

温度最高150℃ 电压最高2000V

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

测试实验室

功率器件测试_半导体测试-长禾半导体实验室
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