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漏源间反向击穿电压通态电阻阈值电压漏极反向电流测试实验室

详细说明更新时间:2020-12-26 12:04 浏览次数:39
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品牌:长禾实验室
品牌:长禾实验室
产地:陕西西安
测试器件:18类分立器件
单价:188.00元/台
起订:1 台
供货总量:1000 台
发货期限:自买家付款之日起 3 天内发货
所在地:陕西 西安市
有效期至:长期有效
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产品介绍
       西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区,是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业,是国家CNAS 认可实验室,属于国家大功率器件测试服务中心。

长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有先进的测试仪器设备100余台套,专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准,以客户需求为导向,不断创新服务项目和检测技术,借助便利的服务网络,为合作伙伴提供优质高效的技术服务。

长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体(宽禁带半导体)应用解决方案服务商。

长禾实验室秉承创新务实的经营理念,为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持;同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流,测试技术与服务水平不断提升。

功率金属氧化物场效应管 1 漏源间反向击穿电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1 只测: -3.5kV~3.5kV
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407 只测: -3.5kV~3.5kV
2 通态电阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1 只测: 0~10kΩ,,0~1500A
3 阈值电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3404 只测: -10V~10V
4 漏极反向电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1 只测: -100mA~100mA
5 栅极漏电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 只测: -100mA~101mA
6 体二极管压降 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 只测: 0A~1500A
7 跨导 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 只测: 1ms~1000s
8 开关时间 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3472.2 只测: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A
9 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472 只测: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A
10 体二极管反向恢复时间 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只测: 10ns~2µs
11 体二极管反向恢复电荷 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只测: 1nC~100µC
12 栅极电荷 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3 只测: Qg:0.5nC~500nC
13 单脉冲雪崩能量 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2 只测: L:0.01mH~159.9mH, Ias:0.1A~1500A
14 栅极串联等效电阻 功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002) 只测: 0.1Ω~50Ω
15 稳态热阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3161.1 只测: Ph:0.1W~250W
16 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3161 只测: Ph:0.1W~250W
17 输入电容 半导体器件 分立器件 8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 只测: -3kV~3kV,0~1MHz
18 输出电容 半导体器件 分立器件 8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 只测: -3kV~3kV,0~1MHz
19 反向传输电容 半导体器件 分立器件 8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 只测: -3kV~3kV,0~1MHz
20 老炼试验 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 只测: 条件A、条件B, Vdsmax:3500V, Tjmax:200℃
21 温度,反偏和操作寿命试验 JESD22-A108F:2017 只测: HTRB和HTGB试验
22 间歇功率试验 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 只测: 条件D(间歇功率)
23 稳态功率试验 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 只测: 条件C(稳态功率)

漏源间反向击穿电压通态电阻阈值电压漏极反向电流测试实验室
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